截至2026年8月18日收盘，民德电子(300656)报收于29.59元，上涨1.3%，换手率7.21%，成交量9.73万手，成交额2.82亿元。

当日关注点

• 交易信息汇总：8月18日主力资金净流入886.12万元，占总成交额3.14%。
• 机构调研要点：晶圆厂一期扩产设备已部分进场，产能预计今年四季度起明显释放；特高压VDMOS产品已进入量产阶段，IGBT及700V高压BCD处于客户流片与导入阶段；定增7亿元拟新增6万片/月高压大功率领域晶圆代工产能。

8月18日主力资金净流入886.12万元，占总成交额3.14%；游资资金净流出846.99万元，占总成交额3.0%；散户资金净流出39.14万元，占总成交额0.14%。

机构调研要点8月17日业绩说明会,电话会议,线上会议

• 晶圆厂一期已签订扩产至6万片/月的设备合同，部分设备进场；同步洽谈扩产至10万片/月设备；产能预计今年四季度和明年上半年开始明显释放。
• 公司价格策略随行就市；上游硅片厂商有四季度再次涨价意向，广芯微电子将视上游变动及产品结构优化情况决定是否跟进；功率半导体预计未来三年处于景气周期，价格具上行空间；当前价格较2023年初仍处低位，客户接受度较好。
• 当前晶圆代工产能约40%用于MFER产品，其余主要生产VDMOS，少量TVS；新增产能聚焦高压、大功率应用，主产特高压VDMOS、IGBT及700V高压BCD等高端产品。
• 研发费用同比增加系广芯微电子产量增长带动研发支出上升，及公司持续推进产品研发所致；财务费用同比增加系广芯微电子并表后金融机构借款增加致利息支出上升；存货跌价损失较大系产能爬坡阶段产成品单位成本中折旧、摊销及料工费占比高所致；后续随产销量提升及市场价格上涨，存货跌价将逐步减少。
• 特高压VDMOS已进入量产阶段；IGBT及700V高压BCD处于客户流片与导入阶段，核心工艺环节已完成验证，现有设备具备量产能力。
• 定增10亿元中7亿元用于6英寸功率半导体晶圆代工产线扩产，达产后预计新增特高压VDMOS、IGBT及700V高压BCD等产品晶圆代工产能6万片/月。
• 广芯微电子项目总占地150亩，一期使用100亩，配套基础设施已全部建成；预留50亩用于二期厂房建设，仅需新建一栋生产厂房并添置设备，建设周期较新建厂显著缩短；公司将尽快推进一期满产，并择机启动二期建设。
• 广芯微电子为公司核心战略资产，公司将始终保持控制权；少数股东股权拟在广芯微电子实现经营性现金流或净利润转正后，通过上市公司换股发行收购剩余股权，或以现金收购部分股权，具体进度视经营情况及股东沟通结果而定。

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