武汉中航传感取得低温漂MEMS压力传感器芯片专利，可有效用来解决低温漂MEMS压力传感器芯片中存在残余应力的问题
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2026-09-04 17:27:16
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国家知识产权局信息显示，武汉中航传感技术有限责任公司取得一项名为“一种低温漂MEMS压力传感器芯片”的专利，授权公告号CN224719550U，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种低温漂MEMS压力传感器芯片，包括：压敏元件、引线、感测层、玻璃层以及应力缓冲层；所述感测层由上至下依次分为器件层、埋氧层以及衬底层，所述压敏元件嵌设在器件层内，所述引线嵌设在器件层内并与压敏元件电性连接，所述衬底层开设有第一通孔，所述玻璃层开设有第二通孔，所述应力缓冲层开设有第三通孔，所述玻璃层贴合在所述衬底层的底面，所述应力缓冲层贴合在玻璃层的底面，且所述第一通孔、第二通孔以及第三通孔相互连通，能有效降低应力对芯片的影响，可有效用来解决低温漂MEMS压力传感器芯片中存在残余应力的问题，进而可以保证低温漂MEMS压力传感器芯片的检测精度。
天眼查资料显示，武汉中航传感技术有限责任公司，成立于2012年，位于武汉市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本670万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉中航传感技术有限责任公司参与招投标项目6次，专利信息91条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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