矽力杰申请HEMT器件及其制造方法专利,减小源漏极金属的欧姆接触电阻
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2025-07-15 10:11:56
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金融界2025年7月15日消息,国家知识产权局信息显示,矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请一项名为“HEMT器件及其制造方法”的专利,公开号CN120321977A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本发明提供一种HEMT器件及其制造方法,所述方法包括:形成至少包括基底层,沟道层的叠层;在所述叠层的上表面分步或一步形成势垒层结构,其中,所述势垒层结构包括间隔设置的第一预定区域和第二预定区域;通过在所述势垒层结构的第一预定区域注入离子以形成n型掺杂的离子层;在所述势垒层结构的第二预定区域上形成栅极结构;以及在所述势垒层结构的第一预定区域上形成源漏极金属,其中,通过在形成所述栅极结构或所述势垒层结构的第二预定区域中的III‑V族化合物时的生长温度激活所述离子层,以减小所述源漏极金属的欧姆接触电阻。

天眼查资料显示,矽力杰半导体技术(杭州)有限公司,成立于2008年,位于杭州市,是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析,矽力杰半导体技术(杭州)有限公司共对外投资了41家企业,参与招投标项目13次,财产线索方面有商标信息57条,专利信息827条,此外企业还拥有行政许可7个。

来源:金融界

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