矽力杰申请HEMT器件及其制造方法专利，减小源漏极金属的欧姆接触电阻
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2025-07-15 10:11:56
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“HEMT器件及其制造方法”的专利，公开号CN120321977A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种HEMT器件及其制造方法，所述方法包括：形成至少包括基底层，沟道层的叠层；在所述叠层的上表面分步或一步形成势垒层结构，其中，所述势垒层结构包括间隔设置的第一预定区域和第二预定区域；通过在所述势垒层结构的第一预定区域注入离子以形成n型掺杂的离子层；在所述势垒层结构的第二预定区域上形成栅极结构；以及在所述势垒层结构的第一预定区域上形成源漏极金属，其中，通过在形成所述栅极结构或所述势垒层结构的第二预定区域中的III‑V族化合物时的生长温度激活所述离子层，以减小所述源漏极金属的欧姆接触电阻。
天眼查资料显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司，成立于2008年，位于杭州市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共对外投资了41家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息57条，专利信息827条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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