中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，减少工艺成本和工艺加工时间
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2025-07-16 12:39:48
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120319661A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，包括有源区和用于隔离相邻有源区的隔离区；在衬底上形成第一浮栅材料层；去除隔离区的第一浮栅材料层和部分厚度的衬底，在隔离区的衬底中形成沟槽，位于有源区的剩余第一浮栅材料层作为第二浮栅材料层；在沟槽中形成隔离层；形成隔离层后，在第二浮栅材料层顶部形成分立的控制栅结构；去除未被控制栅结构遮挡的第二浮栅材料层，形成浮栅结构。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
来源：金融界
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