南亚科技申请具有侧壁氧化介电质的半导体元件专利，公开一种具有侧壁氧化介电质的半导体元件及其制备方法
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2025-07-16 19:10:15
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有侧壁氧化介电质的半导体元件”的专利，公开号CN120321990A，申请日期为2024年04月。
专利摘要显示，本申请公开一种具有侧壁氧化介电质的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一通道绝缘层，设置于该基底上；一浮动栅极，设置于该通道绝缘层上；一横向氧化中介层，设置于该浮动栅极上；以及一控制栅极，设置于该横向氧化中介层上。该横向氧化中介层包括一侧壁部分以及一中心部分，其中该侧壁部分具有一第一氧浓度，该中心部分具有一第二氧浓度大，并且该第一氧浓度大于该第二氧浓度。
来源：金融界
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