厂商动态
奥首材料申请高粘附性负性光敏树脂组合物专利，具有优异的粘附力
国家知识产权局信息显示，浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“高粘附性的负性光敏树脂组合物及制法与应用”的专利，公开号CN121432805A，申请日期为202...
健信超导：2月2日融资买入794.67万元，融资融券余额1.23亿元
证券之星消息，2月2日，健信超导（688805）融资买入794.67万元，融资偿还1074.85万元，融资净卖出280.18万元，融资余额1.23亿元，近20个...
科创半导体ETF（588170）、半导体设备ETF华夏（562590）涨超2%，机构预测半导体国内自给率到2026年将提高至8成
截至2026年2月3日 13:38，上证科创板半导体材料设备主题指数强势上涨2.53%，成分股欧莱新材上涨9.98%，华峰测控上涨6.03%，神工股份上涨5.5...
西藏华东水电申请高海拔开关柜电弧故障智能响应方法专利，提高开关柜的安全性和可靠性
国家知识产权局信息显示，西藏华东水电设备成套有限公司;日喀则珠峰城市投资发展集团有限公司申请一项名为“一种高海拔开关柜电弧故障智能响应方法”的专利，公开号CN1...
曝华为评估采用方形前置传感器 或由nova 16系列搭载
【CNMO科技消息】2月3日，数码博主“数码闲聊站”爆料称，华为正在评估采用1:1方形传感器用于前置摄像头。并且，该传感器大概率将由主打拍照的中端机型搭载。网友...
2026年口碑好的厂家采购决策指南
在当今科技飞速发展的时代，稳压器作为保障电力稳定供应的关键设备，其性能和质量直接影响着众多行业的正常运转。无论是交通、电力、石化等大型产业，还是医疗、科研、通信...
铭源光学取得光学玻璃切割装置专利，实现安全化生产
国家知识产权局信息显示，常德市铭源光学仪器有限公司取得一项名为“一种光学玻璃切割装置”的专利，授权公告号CN223852491U，申请日期为2025年3月。 专...
2025上海【莘泽集成电路设计园】首页网站欢迎您-办公室租赁-楼盘详情，价格，户型
上海莘泽集成电路设计园租赁中心电话：400-021-2797转6666 上海莘泽集成电路设计园的相关信息可以归纳如下： 一、园区概况 地址：位于上海市浦东张江...
北京中关村集成电路设计院大厦（招商中心电话）官网首页--中关村集成电路设计院大厦租赁部--官方最新发布
北京中关村集成电路设计院大厦租赁中心电话：400-079-6766转7777 北京中关村集成电路设计园大厦是位于北京市海淀区中关村科学城北区的一个标志性建筑，...
第三代半导体落地关键：如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案
引言：氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）技术正推动功率电子革命，但真正的场景落地，离不开与之匹配的被动元件协同进化。 当第三代半导体器件以其高频、高效、耐高温高...
创业板指涨幅扩大至2% CPO、半导体、光伏设备板块领涨
人民财讯2月3日电，截至发稿，创业板指涨幅扩大至2%。CPO、半导体、光伏设备板块领涨。
民爆光电2连板！9时25分再度涨停，背后逻辑揭晓
据交易所数据显示， 民爆光电连续两个交易日涨停，晋级2连板。该股今日于9时25分封涨停，成交额0.17亿元，换手率0.86%。金融界App AI线索挖掘：民爆光...
华为取得电子设备GPS周数翻转方法专利
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司取得一项名为“电子设备及其GPS周数翻转方法和介质”的专利，授权公告号CN113945957B，申请日期为2021年4月...
清华团队合作在多模态高分辨率触觉传感器研发领域取得新进展
随着具身智能技术的发展，机器人与人类的互动场景日益丰富，对机器人的高阶触觉感知提出了更高要求。然而，目前触觉传感系统在空间分辨率、多维感知和信号解读能力等方面仍...
在北科大，如何培养半导体拔尖人才？
当全球科技竞争进入纳米时代 当一枚小小芯片牵动着国家的安全与未来 在北京科技大学 有这样一支以“黄昆”命名的育人团队 他们 紧跟国家战略需求 深耕教学模式创新 ...
ABB申请开关柜测试小车专利，可确定开关柜的电气性能
国家知识产权局信息显示，ABB瑞士股份有限公司申请一项名为“开关柜测试小车、自动测试系统和中压配电柜测试总成”的专利，公开号CN121431972A，申请日期为...
宝新创取得遮挡装置及电子产品专利，降低设置有遮挡装置的电子产品的制造成本
国家知识产权局信息显示，深圳宝新创信息技术有限公司取得一项名为“一种遮挡装置及电子产品”的专利，授权公告号CN223872341U，申请日期为2025年3月。 ...
中车时代半导体取得提高IGBT沟槽尺寸精度专利
国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司取得一项名为“一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法”的专利，授权公告号CN114597120B，申请日期为2...