力晶积成申请半导体装置及其形成方法专利，提供一种半导体装置及其形成方法
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2025-07-18 20:39:57
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其形成方法”的专利，公开号CN120343970A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括基底、第一元件、第二元件以及虚设栅极结构。基底包括由元件隔离结构界定的第一主动区和第二主动区。第一元件在第一主动区中且包括在基底上的栅极结构。第二元件在第二主动区中且包括埋设于基底中的绝缘图案以及在基底中的第一掺杂区和第二掺杂区。绝缘图案包括第一部分以及环绕第一部分的第二部分。第二部分与元件隔离结构在第二主动区中界定其中形成有第一掺杂区的区域。第二部分与第一部分在第二主动区中界定其中形成有第二掺杂区的区域。虚设栅极结构在第二主动区中且包括第一图案、第二图案以及第三图案。第一图案在绝缘图案的第一部分上。第二图案在绝缘图案的第二部分上。第三图案在元件隔离结构上。

来源：金融界

图案 显示 主动 力晶积 装置 元件 区中 导体 包括 结构 基底 掺杂区 主动区

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