爱思开海力士申请半导体装置和半导体装置的制造方法专利，涉及半导体装置及制造方法
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2025-07-28 20:39:11
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN120379336A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置可包括：第一栅极结构，包括交替地层叠的第一绝缘层和第一导电层；第二栅极结构，设置在第一栅极结构上方或上并包括交替地层叠的第二绝缘层和第二导电层；第一支撑件，各个第一支撑件包括延伸穿过第一栅极结构并具有第一宽度的第一部分以及延伸穿过第二栅极结构并具有第二宽度的第二部分，第一宽度大于第二宽度；第二支撑件，延伸穿过第一栅极结构和第二栅极结构并具有第三宽度；第一接触结构，在第一支撑件之间延伸穿过第二栅极结构，第一接触结构电连接到至少一个第二导电层；以及第二接触结构，在第二支撑件之间延伸穿过第二栅极结构和第一栅极结构，第二接触结构电连接到至少一个第一导电层。
来源：金融界
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