金融界2025年8月16日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司;华虹半导体制造(无锡)有限公司申请一项名为“背侧深沟槽隔离结构及其制造方法”的专利,公开号CN120500130A,申请日期为2025年04月。
专利摘要显示,本发明提供一种背侧深沟槽隔离结构,包括衬底,在衬底上形成有沟槽,沟槽中形成有填充介质;沟槽具有顶部垂直段、中部侧掏段和底部收缩段;顶部垂直段具有垂直侧壁的沟槽顶部;中部侧掏段连接于顶部垂直段下方,侧壁向外扩张;底部收缩段连接于中部侧掏段下方,侧壁逐渐收缩且底部为圆角形貌。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2938次,专利信息1761条,此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造(无锡)有限公司,成立于2022年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体制造(无锡)有限公司参与招投标项目375次,专利信息64条,此外企业还拥有行政许可227个。
来源:金融界