华虹半导体申请背侧深沟槽隔离结构及其制造方法专利，提升芯片白像素性能
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2025-08-16 17:23:05
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“背侧深沟槽隔离结构及其制造方法”的专利，公开号CN120500130A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种背侧深沟槽隔离结构，包括衬底，在衬底上形成有沟槽，沟槽中形成有填充介质；沟槽具有顶部垂直段、中部侧掏段和底部收缩段；顶部垂直段具有垂直侧壁的沟槽顶部；中部侧掏段连接于顶部垂直段下方，侧壁向外扩张；底部收缩段连接于中部侧掏段下方，侧壁逐渐收缩且底部为圆角形貌。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可227个。
来源：金融界
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