普冉股份获得发明专利授权：“降低小型存储芯片漏电的方法”_电池技术

普冉股份获得发明专利授权：“降低小型存储芯片漏电的方法”

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2025-11-09 03:04:37

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示普冉股份（688766）新获得一项发明专利授权，专利名为“降低小型存储芯片漏电的方法”，专利申请号为CN202411832062.9，授权日为2025年11月7日。

专利摘要：本申请提供一种降低小型存储芯片漏电的方法，属于半导体芯片技术领域。该方法包括：获取待检测芯片的当前漏电数据、原始漏电数据以及功能测试数据，并建立漏电分析模型；根据原始漏电数据、当前漏电数据、预先构建的漏电分析模型以及功能测试数据，确定待检测芯片的漏电点位是否为多晶硅间距；若是，则对待检测芯片进行物理切剖以得到剖面测量结果，并确定待检测芯片中的金属硅化物的当前生长区间是否超出标定生长区间；若是，则对待检测芯片进行光罩改版优化，并对光罩改版优化结果进行流片验证，并从流片验证结果中确定目标光罩改版结果。本申请可以达到防止两根多晶硅之间的金属硅化物侧穿，以避免多晶硅间距过近导致的存储比特漏电的效果。

今年以来普冉股份新获得专利授权12个，较去年同期减少了29.41%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.48亿元，同比增32.76%。

通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息14条，专利信息194条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可7个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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