鲁汶仪器申请半导体结构的形成方法专利，有利于提高后道外延的质量
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2025-06-30 11:38:24
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金融界2025年6月30日消息，国家知识产权局信息显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120221406A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底内形成沟槽，所述沟槽的侧壁和底部构成的夹角为圆角；采用反应离子束刻蚀工艺对所述圆角处的基底进行改性处理，在所述圆角处的基底内形成改性层；采用离子束刻蚀工艺去除所述改性层。
天眼查资料显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本16631.8311万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鲁汶仪器股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目232次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息430条，此外企业还拥有行政许可14个。
来源：金融界
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