新微半导体申请高阻电阻器结构及其制备方法专利，可改善高阻材料在形成时暴露于空气中易氧化等问题
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2026-01-06 21:37:12
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国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“高阻电阻器结构及其制备方法”的专利，公开号CN121284977A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种高阻电阻器结构及其制备方法，包括：提供基底，并在所述基底上沉积绝缘层；刻蚀所述绝缘层以形成间隔分布的第一开口及第二开口，所述第一开口和所述第二开口暴露出所述基底的表面；在所述第一开口及所述第二开口内填充金属材料，以分别形成第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；自位于所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层之间的区域对所述基底进行非掺杂元素离子注入以实现高阻，位于所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层之间的所述绝缘层用于控制所述离子注入的深度。相较于现有技术，可改善高阻材料在形成时暴露于空气中易氧化、需多步沉积成本高周期长、难以集成到标准制备工艺中等问题。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目843次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息128条，此外企业还拥有行政许可83个。
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来源：市场资讯
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