长飞先进半导体申请半导体器件专利以提高沟槽槽角抗击穿能力
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2026-01-08 22:12:12
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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121285009A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆。半导体器件包括：半导体本体，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽包括沟槽侧部、沟槽槽角部和沟槽底部，沟槽槽角部连接沟槽侧部与沟槽底部；第一区域和阱区设置在第二区域和栅极沟槽之间；第一绝缘层，包括绝缘侧部、绝缘槽角部和绝缘底部，绝缘侧部位于沟槽侧部，绝缘槽角部位于沟槽槽角部，绝缘底部位于沟槽底部；绝缘槽角部的厚度大于绝缘侧部的厚度；栅极，位于栅极沟槽内，且第一绝缘层位于栅极和半导体本体之间；漏极，位于第二表面；源极，位于第一表面。本申请提高了栅极沟槽的槽角位置的抗击穿能力。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目34次，专利信息109条，此外企业还拥有行政许可62个。
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来源：市场资讯
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