长飞先进半导体申请半导体器件专利以提高沟槽槽角抗击穿能力
创始人
2026-01-08 22:12:12
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国家知识产权局信息显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司申请一项名为“一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利,公开号CN121285009A,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本申请公开了一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆。半导体器件包括:半导体本体,第一区域位于第一表面,阱区位于第一区域远离第一表面的一侧;第一表面设置有栅极沟槽,栅极沟槽包括沟槽侧部、沟槽槽角部和沟槽底部,沟槽槽角部连接沟槽侧部与沟槽底部;第一区域和阱区设置在第二区域和栅极沟槽之间;第一绝缘层,包括绝缘侧部、绝缘槽角部和绝缘底部,绝缘侧部位于沟槽侧部,绝缘槽角部位于沟槽槽角部,绝缘底部位于沟槽底部;绝缘槽角部的厚度大于绝缘侧部的厚度;栅极,位于栅极沟槽内,且第一绝缘层位于栅极和半导体本体之间;漏极,位于第二表面;源极,位于第一表面。本申请提高了栅极沟槽的槽角位置的抗击穿能力。

天眼查资料显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析,长飞先进半导体(武汉)有限公司参与招投标项目34次,专利信息109条,此外企业还拥有行政许可62个。

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来源:市场资讯

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