美浦森半导体申请基于SiC的MOS晶体管性能检测方法专利，可提高晶体管性能检测的效率
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2026-01-10 17:07:33
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国家知识产权局信息显示，深圳市美浦森半导体有限公司申请一项名为“一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法及系统”的专利，公开号CN121299405A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及晶体管性能检测技术领域，一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法及系统，包括：利用晶体管性能检测单元及热成像单元对测试晶体管进行性能检测，得到测试晶体管性能参数组集及晶体管热分布图像序集，基于晶体管热分布图像序集及测试晶体管性能参数组集对晶体管性能指标组进行筛选，得到检测性能指标组及预测性能指标组，利用检测性能指标组、预测性能指标组及晶体管热分布图像序集进行神经网络训练，得到晶体管性能预测模型测。本发明可提高晶体管性能检测的效率，降低对精密检测设备的依赖。
天眼查资料显示，深圳市美浦森半导体有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美浦森半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息86条，此外企业还拥有行政许可22个。
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来源：市场资讯
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