中芯国际申请半导体结构专利，提高闪存存储器的写入和擦除效率_电池技术

中芯国际申请半导体结构专利，提高闪存存储器的写入和擦除效率

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2026-01-10 17:07:28

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器和电子装置”的专利，公开号CN121310604A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器和电子装置，该半导体结构包括：衬底，位于衬底上的隧穿氧化层，位于隧穿氧化层上的第一结构，第一结构包括位于隧穿氧化层上的浮栅，位于浮栅上的介质层，位于介质层上的控制栅，浮栅朝向介质层的一侧包括第一凹凸结构，控制栅朝向介质层的一侧包括第二凹凸结构，第一凹凸结构和第二凹凸结构互相嵌入。本申请实施例通过第一凹凸结构和第二凹凸结构互相嵌入使得浮栅和控制栅之间的接触面积变大，进而提高控制栅到浮栅的耦合比，改善最终形成的闪存存储器的写入和擦除效率。且增大的接触面积，可以在写入的时候，减少施加在控制栅上的电压，延缓介质层的老化，提高闪存存储器的可靠性。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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