南亚科技申请存储器装置的制造方法专利，用以防止具有不均一厚度的遮罩层影响着陆垫高度
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2026-01-17 20:08:08
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN121357885A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，存储器装置的制造方法包括：形成过量填充位元线结构之间的第一沟槽的着陆垫材料层；在着陆垫材料层上方形成遮罩层；对遮罩层执行平坦化工艺，其中遮罩层包括第一凸块；通过对遮罩层执行图案化工艺来形成图案化遮罩层；通过图案化遮罩层蚀刻着陆垫材料层以在各别位元线结构上方形成着陆垫；在图案化遮罩层上方形成隔离结构，其中隔离结构具有与第一凸块重叠的第二凸块；在隔离结构上方形成平面化层，其中平面化层的顶表面比隔离结构的顶表面平坦；及对图案化遮罩层、隔离结构及平面化层执行蚀刻工艺。本发明可用于提供一种用以防止具有不均一厚度的遮罩层影响着陆垫高度的方法。
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