广微集成技术申请一种肖特基二极管及其制备方法专利，形成良好的三维散热渠道降低散热负担
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2026-01-17 19:37:48
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国家知识产权局信息显示，广微集成技术（深圳）有限公司申请一项名为“一种肖特基二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121357922A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括重掺杂N型衬底层及形成于其上表面的轻掺杂N型外延层，轻掺杂N型外延层的上部设有沟槽结构，沟槽结构内填充有掺杂多晶硅，掺杂多晶硅为掺杂P型杂质的多晶硅，掺杂多晶硅作为固相扩散源，通过对掺杂多晶硅进行固相扩散，以向轻掺杂N型外延层扩散P型杂质，以于沟槽结构的侧壁和底部形成有P型区。本发明提供的肖特基二极管及其制备方法通过于沟槽结构的侧壁及底部形成P型区，P型区与轻掺杂N型外延层形成耗尽区，形成良好的三维散热渠道，降低散热负担，通过固相扩散形成P型区，相较于离子注入，更容易控制结深。
天眼查资料显示，广微集成技术（深圳）有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2176.47万人民币。通过天眼查大数据分析，广微集成技术（深圳）有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可14个。
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来源：市场资讯
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