芯联集成申请半导体结构及其形成方法专利，从根本上解决了漏电问题_电池技术

芯联集成申请半导体结构及其形成方法专利，从根本上解决了漏电问题

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2026-01-24 19:10:38

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国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121398069A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括半导体衬底，半导体衬底具有第一区域，在半导体衬底上设置有第一CESL层，在第一区域的第一CESL层上设置有第二CESL层，在第一CESL层和第二CESL层上形成有层间介质层，第一区域设置有接触孔，接触孔贯通第二CESL层和第一CESL层，接触孔两侧均保留有所述第二CESL层。本发明通过设置双层的CESL层，第二CESL层围设在接触孔的侧壁上，使得电极间实现物理隔断，相邻两个电极之间的氮硅材料层被移除，仅在每个电极附近保留，使得第二CESL层在相邻两电极之间存在不连续型，从而使得电极间被氮硅材料层物理隔断，因此无电流导通路径，从根本上解决了漏电问题。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1734次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息789条，此外企业还拥有行政许可43个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法显示电极投资集成导体结构专利半导体芯联孔贯通衬底电极间

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