万锐半导体申请高效散热SiC功率装置专利，降低SiC芯片工作的最大温度
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2026-01-27 09:18:28
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国家知识产权局信息显示，万锐半导体（汕头）有限公司申请一项名为“一种高效散热的SiC功率装置及其制备方法”的专利，公开号CN121398594A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种高效散热的SiC功率装置及其制备方法，该SiC功率装置包括：SiC功率模块以及与SiC功率模块连接的散热器；所述SiC功率模块包括上盖、外壳、功率模块以及中间掏空的底板；所述散热器包括基板和翅片；所述功率模块包括至少一个DBC基板，设每一DCB基板上设有SiC芯片、pin针以及键合线；所述DBC基板的侧壁以粘合剂与所述底板的内壁固接；所述DBC基板的下表面与所述散热器的基板连接，通过将DBC的下表面直接与散热器接触，极大缩短了SiC芯片到散热器的散热路径，降低了SiC芯片工作的最大温度，同时将底板掏空，降低了材料成本，而且增加模块的机械强度，提升了整体模块在复杂工作环境的稳定性。
天眼查资料显示，万锐半导体（汕头）有限公司，成立于2025年，位于汕头市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，万锐半导体（汕头）有限公司专利信息1条，此外企业还拥有行政许可5个。
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来源：市场资讯
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