格力电子申请半导体结构专利，解决MOS器件中寄生三极管易导通问题
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2026-01-28 18:12:33
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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“半导体结构和半导体器件”的专利，公开号CN121419292A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一掺杂区，位于外延层中，第一掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型不同；第二掺杂区，位于第一掺杂区中，第二掺杂区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型不同，第二掺杂区的远离衬底的表面与第一掺杂区的部分表面重叠；多个在预定方向上间隔设置的第三掺杂区，位于第二掺杂区中，第三掺杂区的远离衬底的表面与第二掺杂区的远离衬底的表面未重叠，第三掺杂区的靠近衬底的表面与第二掺杂区的靠近衬底的表面未重叠，第三掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区的掺杂类型不同。本申请解决了现有技术中MOS器件中寄生三极管容易导通导致器件的可靠性较低的问题。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目30次，专利信息223条，此外企业还拥有行政许可107个。
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来源：市场资讯
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