联光元和申请三维堆叠光电共封装结构专利，降低封装工艺复杂度
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2026-01-31 14:16:15
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国家知识产权局信息显示，联光元和（上海）企业发展有限公司申请一项名为“三维堆叠的光电共封装结构及其封装方法”的专利，公开号CN121419670A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种三维堆叠的光电共封装结构及其封装方法，通过光芯片与转接板晶圆的C2W键合形成三维堆叠结构，可以允许各光芯片分别加工，之后再键合在转接板晶圆上，降低封装工艺复杂度，提高封装可靠性；另外，每层光芯片焊盘区的焊盘均会与电互连区的部分导电过孔接触连接，且设置上层光耦合区相对下层光耦合区外缩露出下层光耦合区中的第一光学耦合器，从而沿光电转接结构的厚度层叠方向，光芯片从下向上面积依次增加，形成倒金字塔形状，电互连结构分布于光芯片外侧边，可有效避免在光芯片上制作导电柱结构，降低工艺复杂度，同时光互连结构也分布光芯片外侧边，可将光芯片中的光直接耦合至光电传输层，避免光耦合次数过多造成过高的效率损失。
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来源：市场资讯
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