积塔半导体申请具有嵌入式外延结构的半导体器件专利，降低不同尺寸沟槽中的负载差异_电池技术

积塔半导体申请具有嵌入式外延结构的半导体器件专利，降低不同尺寸沟槽中的负载差异

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2026-01-31 22:42:48

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“具有嵌入式外延结构的半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN121442723A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种具有嵌入式外延结构的半导体器件及其形成方法。所述具有嵌入式外延结构的半导体器件的形成方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底，衬底内具有至少沿第一方向间隔排布的多个有源区以及位于有源区内的沟槽，有源区包括源漏区，沟槽位于源漏区内，且至少两个沟槽的尺寸不同；采用第一外延生长工艺于每个沟槽内生长覆盖沟槽的内壁的缓冲层和覆盖于缓冲层表面的主体层；回刻蚀主体层，降低主体层的厚度；采用第二外延生长工艺形成覆盖剩余的主体层的盖帽层，盖帽层、剩余的主体层以及缓冲层共同作为嵌入式外延结构。本发明既能降低不同尺寸的沟槽中的嵌入式外延结构的负载差异，又能避免嵌入式外延结构超出满溢上限。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1951次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1343条，此外企业还拥有行政许可200个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资沟槽降低尺寸外延导体结构专利负载有源区主体层源漏区

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