湖北星辰技术申请半导体结构及其形成方法专利，保护结构为旋涂电介质
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2026-02-17 23:14:10
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国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121548328A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其形成方法；其中，半导体结构，包括：基底、第一芯片、保护结构和隔离结构，基底包括键合区域，以及环绕所述键合区域的外围区域；第一芯片位于所述基底表面、且与所述键合区域相键合；保护结构环绕所述第一芯片的侧壁；所述保护结构为旋涂电介质；隔离结构位于所述基底表面、且填充于相邻的所述保护结构之间。
天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3680.3242万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目81次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息135条，此外企业还拥有行政许可28个。
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来源：市场资讯
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