国家知识产权局信息显示,上海申矽凌微电子科技股份有限公司申请一项名为“用于双向电平转换电路中传输管的栅极偏置电压电路”的专利,公开号CN121567116A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明提供了一种用于双向电平转换电路中传输管的栅极偏置电压电路,包括:第一反相器、第二反相器、第三P型场效应晶体管和单稳态脉冲电路;第一反相器连接至第一电源域和使能信号;第二反相器连接至第二电源域和使能信号;第三P型场效应晶体管的源极连接至第一反相器和第二反相器的输出节点,栅极连接至第一电源域,漏极接地;单稳态脉冲电路连接至使能信号和第二电源域;其中,输出节点提供栅极偏置电压,用于控制双向电平转换电路中的N型场效应晶体管传输管。通过设计三个并联的电流支路同时对栅极偏置电压进行充电,能够在芯片上电使能后的极短时间内快速建立起稳定的栅极偏置电压,从而支持双向电平转换电路进行高速信号传输。
天眼查资料显示,上海申矽凌微电子科技股份有限公司,成立于2015年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海申矽凌微电子科技股份有限公司共对外投资了5家企业,参与招投标项目3次,财产线索方面有商标信息22条,专利信息114条,此外企业还拥有行政许可3个。
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来源:市场资讯