长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，解决栅极层对沟道结构栅控能力较低的问题
创始人
2025-07-05 18:09:35
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN120264765A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决栅极层对沟道结构的栅控能力较低的问题。所述半导体结构包括堆叠结构、多个沟道结构和至少一个顶部选择栅切线。堆叠结构包括交替层叠设置的多个介质层和多个栅极层，沟道结构贯穿堆叠结构。顶部选择栅切线从堆叠结构的一侧表面贯穿至少一个栅极层；顶部选择栅切线位于相邻的沟道结构之间，且与相邻的沟道结构中的至少一个沟道结构有重叠，顶部选择栅切线为曲线形。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1394次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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