长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，降低半导体结构制备过程中的形变量
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2026-03-06 04:52:33
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统”的专利，公开号CN121604426A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低半导体结构制备过程中的形变量。所述半导体结构包括叠层结构、多个沟道结构和填充部。所述叠层结构包括交叠设置的多个栅线层和多个绝缘层。所述多个沟道结构贯穿所述叠层结构，所述沟道结构包括层叠设置的存储功能层和沟道层，所述存储功能层围绕所述沟道层。所述沟道层围绕所述填充部，所述填充部包括层叠设置的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层的材料不同。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1430次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
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来源：市场资讯
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