复旦微电子申请存储器结构及其形成方法专利，能够有效降低电阻
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2026-03-11 15:12:53
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国家知识产权局信息显示，上海复旦微电子集团股份有限公司申请一项名为“存储器结构及其形成方法”的专利，公开号CN121645882A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，一种存储器结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于所述衬底上的若干隔离层和若干字线栅层，所述隔离层和所述字线栅层依次交替堆叠，所述字线栅层位于相邻的所述隔离层之间；位于所述隔离层和所述字线栅层侧壁的电荷俘获层；位于所述电荷俘获层侧壁的沟道层，其中位于所述隔离层侧壁的所述沟道层包括金属化合物层。位于所述隔离层侧壁的所述沟道层包括金属化合物层，能够有效降低电阻，且在更高存储器结构层数堆叠的节点上，具有所述金属硅化物层的所述沟道层会有更大的优势，对于器件性能上的提升更为明显。
天眼查资料显示，上海复旦微电子集团股份有限公司，成立于1998年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8214.273万人民币。通过天眼查大数据分析，上海复旦微电子集团股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目327次，财产线索方面有商标信息34条，专利信息421条，此外企业还拥有行政许可28个。
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来源：市场资讯
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