台亚半导体申请半导体结构及其制造方法专利，实质阻挡来自硅基板的硅杂质扩散以降低漏电流
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2026-03-30 14:31:17
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国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121751674A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一硅基板、一氮化物缓冲复合层、一主动层及一硅阻挡复合层。氮化物缓冲复合层设置于硅基板上方，主动层设置于氮化物缓冲复合层上方，硅阻挡复合层夹置于氮化物缓冲复合层中，实质阻挡来自硅基板的一硅杂质扩散以降低漏电流。
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来源：市场资讯
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