晶芯成等申请一种MIM电容及其制作方法和半导体器件专利,降低MIM电容的制作成本
创始人
2025-07-07 20:39:11
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金融界2025年7月7日消息,国家知识产权局信息显示,晶芯成(北京)科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种MIM电容及其制作方法和半导体器件”的专利,公开号CN120264780A,申请日期为2025年06月。

专利摘要显示,本发明公开了一种MIM电容及其制作方法和半导体器件,涉及半导体技术领域,其中制作方法包括:提供基底,并在基底上依次形成第一电极层、第一绝缘层、第二电极层和第二绝缘层,以具有第一电极图形的掩膜层为掩膜,对第一电极层、第一绝缘层、第二电极层和第二绝缘层进行刻蚀,以使第一电极层形成第一电极,对第二绝缘层进行回蚀,以去除第二绝缘层的边缘部分,使第二绝缘层暴露出第二电极层的边缘部分,以回刻后的第二绝缘层为掩膜,对第二电极层进行刻蚀,以去除第二电极层的边缘部分,使第二电极层形成第二电极,从而仅需要使用一张光罩来形成具有第一电极图形的掩膜层,进而可以降低MIM电容的制作成本,提高MIM电容的制作效率。

天眼查资料显示,晶芯成(北京)科技有限公司,成立于2020年,位于北京市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币。通过天眼查大数据分析,晶芯成(北京)科技有限公司专利信息203条,此外企业还拥有行政许可1个。

合肥晶合集成电路股份有限公司,成立于2015年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析,合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业,参与招投标项目627次,财产线索方面有商标信息41条,专利信息1113条,此外企业还拥有行政许可21个。

来源:金融界

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