积塔半导体申请用于改善热效应的三维存储器及其制造方法专利，实现存储性能的提升
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“用于改善热效应的三维存储器及其制造方法”的专利，公开号CN122269715A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于改善热效应的三维存储器及其制造方法。所述用于改善热效应的三维存储器的制造方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底、位于衬底上的底层介质层、贯穿底层介质层的第一接触结构、覆盖底层介质层和第一接触结构的中间介质层、贯穿中间介质层且暴露第一接触结构的存储孔以及覆盖于存储孔的内壁上的存储结构，且存储结构与第一接触结构接触电连接；采用低压化学气相沉积工艺沉积多晶硅材料于基底上，并注入掺杂元素至多晶硅材料中，形成覆盖存储结构且填充存储孔的低压化学沉积层。本发明能够有效改善三维存储器在制造过程中的热效应问题，并能够主动改变低压化学沉积层与存储层之间的相对应力，实现存储性能的提升。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2052次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1404条，此外企业还拥有行政许可205个。
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来源：市场资讯
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