晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制造方法和半导体结构”_电池技术

晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制造方法和半导体结构”

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2025-07-09 05:37:18

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制造方法和半导体结构”，专利申请号为CN202510182256.7，授权日为2025年7月8日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，涉及半导体制造技术领域。该半导体结构的制造方法包括：提供基底；其中，基底包括衬底和间隔设置于衬底上的至少两个栅极结构；栅极结构凸出衬底的表面；相邻的两个栅极结构在衬底上的投影之间的间隔距离为第一距离；在栅极结构上形成聚合层，得到过渡栅极结构；其中，相邻的两个过渡栅极结构在衬底上的投影之间的间隔距离为第二距离；第二距离小于第一距离；基于第二距离，在衬底内形成西格玛沟槽。通过本申请实施例，利用对聚合层厚度的控制实现了对西格玛沟槽的顶部尺寸的调节，降低了西格玛沟槽关键尺寸的调节难度，提升了西格玛沟槽关键尺寸的调节能力。

今年以来晶合集成新获得专利授权201个，较去年同期增加了12.29%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目627次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1136条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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