苏州晶湛半导体申请半导体结构及其制造方法专利，得到栅极漏电流小的增强型 HEMT 器件
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2025-07-09 19:10:18
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN120282466A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，依次层叠设置衬底、异质结结构层以及P型半导体层；保留栅极区域的P型半导体层，对非栅极区域的P型半导体层进行刻蚀；在P型半导体层上生长牺牲层，P型半导体层表面的镁离子扩散进入牺牲层中；刻蚀牺牲层；重复N次牺牲层的生长与刻蚀，直至P型半导体层表面的镁离子浓度小于一预设值，形成高阻区；设置源电极、漏电极以及栅电极。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息305条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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