聚芯微电子申请单光子雪崩二极管器件及其制造方法、光电传感器专利，涉及光电探测技术领域_电池技术

聚芯微电子申请单光子雪崩二极管器件及其制造方法、光电传感器专利，涉及光电探测技术领域

创始人

2026-08-13 12:40:14

0次

国家知识产权局信息显示，武汉聚芯微电子股份有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管器件及其制造方法、光电传感器”的专利，公开号CN122555249A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本公开提供了一种SPAD器件及其制造方法、光电传感器，涉及光电探测技术领域，SPAD器件包括在衬底上的半导体层和位于半导体层中的：PN结，包括掺杂类型不同的第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区位于第二半导体区上方；第一阱区，位于PN结下方，第一阱区与第一半导体区的掺杂类型相同、且与半导体层的掺杂类型不同，第一阱区在衬底上的正投影与PN结在衬底上的正投影至少部分交叠；以及第二阱区，位于PN结的侧面，第二阱区与第二半导体区的掺杂类型相同，第二阱区的掺杂浓度大于半导体层的掺杂浓度，第二阱区的上表面不低于第一阱区的下表面、且第二阱区的下表面不高于第一阱区的上表面。

天眼查资料显示，武汉聚芯微电子股份有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉聚芯微电子股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息303条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业技术投资器件半导体聚芯雪崩专利二极管类型半导体区衬底阱区光电传感器半导体层

上一篇：晶微峰光电申请贴膜设备及贴膜方法专利，提高对位精度和贴合效率

下一篇：科华数据申请三相CHB电路控制方法专利，可缓解或消除漏电流

聚芯微电子申请单光子雪崩二极管器件及其制造方法、光电传感器专利，涉及光电探测技术领域

相关内容

热门资讯