南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利，半导体鳍片结构的最宽部分位于中间
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2026-08-13 13:02:38
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN122555192A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括载体基底、半导体鳍片结构、栅极绝缘层和栅极结构。半导体鳍片结构配置在载体基底上并沿第一方向延伸。半导体鳍片结构的宽度沿垂直于载体基底的顶面的第二方向变化，半导体鳍片结构的最宽部分位于半导体鳍片结构的中间。栅极绝缘层配置在半导体鳍片结构上。栅极结构配置在栅极绝缘层上。
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