桑迪士克申请包括具有横向起伏的侧壁的隔离沟槽填充结构的三维存储器器件及其制造方法专利，提供一种三维存储器器件结构
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2025-07-11 12:39:07
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包括具有横向起伏的侧壁的隔离沟槽填充结构的三维存储器器件及其制造方法”的专利，公开号CN120304030A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的一对交替堆叠，该对交替堆叠通过大体上沿着第一水平方向延伸的横向隔离沟槽彼此横向间隔开；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该对交替堆叠中的相应堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中的相应存储器开口中；和横向隔离沟槽填充结构，该横向隔离沟槽填充结构包括外围间隔件和导电填充结构，其中该横向隔离沟槽填充结构在第一竖直平面中的第一竖直截面图包括：该外围间隔件的外周边，该外周边包括位于第一水平平面中的水平顶表面区段；和该外围间隔件的内周边，该内周边与该第一水平平面竖直间隔开并且完全位于该第一水平平面下方。

来源：金融界

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