爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利，本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法
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2025-07-18 09:09:03
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120343922A，申请日期为2024年06月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替地层叠的导电层和绝缘层；金属沟道层，其延伸穿过栅极结构；第一半导体沟道层，其延伸穿过栅极结构并且连接到金属沟道层；以及铁电层，其围绕金属沟道层和第一半导体沟道层。
来源：金融界
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