上海积塔半导体申请半导体结构制备相关专利，提高半导体器件的可靠性和电性
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2025-06-21 10:10:35
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构、制备方法及电子设备”的专利，公开号CN120187083A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构、制备方法及电子设备。该半导体结构的制备方法包括提供衬底，衬底上包括图形化掩膜层；于衬底内形成沿平行于衬底顶面的第一方向间隔排布的沟槽，得到由沟槽限定出的有源区；回刻部分第二介电层并增大开口的尺寸；至少将目标顶面以下的部分有源区及部分有源区的拐角氧化为具有圆角化弧面的拐角氧化层；去除第二介电层后，至少于第一介电层顶面形成顶面齐平的第三介电层，第一介电层、拐角氧化层、第三介电层用于共同构成栅极的栅介电层。通过分步骤形成栅介电层，可以保证有源区的顶面平齐，且确保有源区的拐角处形成圆角化的弧面，避免有源区边缘翘曲造成晶体管漏电的问题，提高半导体器件的可靠性和电性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1832次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1184条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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