浙江珏芯微电子申请碲镉汞红外探测器芯片制备方法专利，提升金属层的导电性效果_电池资讯

浙江珏芯微电子申请碲镉汞红外探测器芯片制备方法专利，提升金属层的导电性效果

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2025-06-21 13:08:39

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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，浙江珏芯微电子有限公司申请一项名为“一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法”的专利，公开号CN120187140A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括步骤：提供衬底，其包括光电材料层；在光电材料层上依次形成钝化层和介质层；刻蚀所述介质层和钝化层形成通孔，暴露出所述光电材料层；在所述衬底的光电材料层一侧形成金属层，覆盖所述介质层及通孔内的光电材料层，所述金属层包括第一金属层与第二金属层的叠层结构；使用图案化的正性光刻胶覆盖所述金属层，采用ICP刻蚀设备对所述金属层进行干法刻蚀，形成图案化的金属电极；去除与所述图案化的金属电极对应位置以外的介质层，形成所述碲镉汞红外探测器芯片。

天眼查资料显示，浙江珏芯微电子有限公司，成立于2019年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35131.764706万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江珏芯微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息210条，此外企业还拥有行政许可11个。

来源：金融界

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