日前国内媒体报道指，国内最大的存储芯片企业之一已建成一条完全采用国产芯片设备的生产线，预计今年下半年将进行试生产，明年将全面量产，这意味着困扰国产存储芯片的难题彻底得到解决。

国产逻辑芯片和存储芯片其实都受到限制，逻辑芯片要求的芯片工艺更高，目前台积电已开始量产2纳米工艺了，而存储芯片所需要的工艺其实较低，这是因为存储芯片需要考虑到耐用性等问题，而一直停留在10纳米以上工艺。

据悉国产逻辑芯片的工艺已达到相当于7纳米工艺的水平，但是再往更先进的5纳米工艺就面临着巨大的困难，有说可以用现有的DUV光刻机通过多重曝光的方式实现5纳米工艺，不过其中面临着良率过低、成本高等问题，未知进展情况如何。

相比起逻辑芯片，存储芯片对工艺的要求较低，因此也就无需太先进的光刻机等设备，这就为存储芯片实现国产化提供了便利条件，而这几年国产存储芯片就一直在努力推进以国产芯片设备、光刻胶等替代进口，以避免受制于人。

从如今披露的消息可以看出，国产存储芯片推进国产化的进展相当顺利，从2022年被限制到如今不过3年时间，国产芯片设备就实现了国产化替代，可以看出国产芯片设备进展还是相当快的了，凸显出国内的技术和制造业都有扎实的基础，有了需求就能迅速突破。

国产存储芯片推进国产化也是被迫的，2022年的时候国产存储芯片就量产了当时全球最先进的232层NAND flash存储芯片，这让全球极为震惊，从2016年成立存储芯片企业，到2022年实现赶超，仅仅6年时间而已。

这让美日韩的存储芯片企业感受到了巨大的威胁，由此导致美国联手日本和荷兰，限制他们的芯片设备企业为中国的存储芯片企业供应先进的芯片设备，甚至已在生产线上的光刻机等设备，也停止提供维护保养，完全违反了贸易原则。

受此影响，国产存储芯片此后的创新速度就放缓了，2023年美日韩存储芯片企业率先量产300层以上的3D NAND flash存储芯片，取得了技术优势，以及他们拥有的市场份额优势--占有超过九成市场份额，他们迅速推进存储芯片价格上涨，导致中国采购存储芯片付出了更多的资金成本。

中国的芯片行业当然不会屈服，从那时候起就开始积极以国产芯片设备替代，仅仅3年时间就成功以国产芯片替代，这将加速国产存储芯片替代进口芯片，中国采购的存储芯片占全球近三成，大举以国产存储芯片替代进口芯片将可以节省大量外汇，还能促使美日韩存储芯片降价，可谓一举多得。

存储芯片的国产化取得成功，告诉了西方，他们无法遏制中国芯片的发展，相反他们施加的压力反而成为中国芯片进展的动力，加速了中国芯片的创新速度，这样的结果显然超出了他们的预期，打压的后果反而让美国、日本、荷兰的芯片设备企业失去了大量收入，而且是永远失去中国这个市场。