云在上半导体等申请静电吸盘边缘保护结构专利，实现自动补偿间隙_电池资讯

云在上半导体等申请静电吸盘边缘保护结构专利，实现自动补偿间隙

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2025-08-01 09:40:11

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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市云在上半导体材料有限公司、湖南湘芯新材料有限公司申请一项名为“静电吸盘的边缘保护结构”的专利，公开号CN120413511A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本申请公开了静电吸盘的边缘保护结构，所述静电吸盘的边缘保护结构包括：柔性保护组件，降温组件，膨胀控制组件，为了解决现有技术中，普通的静电吸盘的边缘保护密封圈在长时间使用因高温导致加速老化变形的问题，本申请的柔性保护组件内部设置有环形内骨架，同时配合降温组件，进行冷水循环，从而实现吸热降温的功能，避免持续高温导致加速老化的问题，同时为了避免热膨胀系数差异导致的界面分离产生微小间隙的问题，在环形内骨架上设置了膨胀单元，配合膨胀控制组件的使用，可以在进行循环水冷却时，自动使得柔性保护组件进行膨胀，实现了自动补偿间隙的作用，同时在停止工作后，又可以自动恢复。

天眼查资料显示，深圳市云在上半导体材料有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市云在上半导体材料有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可2个。

湖南湘芯新材料有限公司，成立于2024年，位于娄底市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本9800万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南湘芯新材料有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可5个。

来源：金融界

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