中创半导体取得激光发生机构及曝光装置专利，提高了冷却效率
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2025-08-16 17:22:53
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，昆山中创半导体科技有限公司取得一项名为“激光发生机构及曝光装置”的专利，授权公告号CN223229849U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种激光发生机构及曝光装置，所述激光发生机构包括壳体、设于壳体内的安装板、多个激光器及激光器驱动器，所述安装板开设有冷却水管道，所述冷却水管道两端为进水口及出水口，所述进水口及出水口开设于所述安装板的一侧，所述激光器沿所述冷却水管道排布，所述激光器驱动器与所述激光器连接。
天眼查资料显示，昆山中创半导体科技有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，昆山中创半导体科技有限公司参与招投标项目4次，专利信息4条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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