长鑫科技申请一种半导体结构及其形成方法专利,公开半导体结构及其形成方法
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2025-06-24 22:38:54
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金融界2025年6月24日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN120201720A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括:半导体衬底、堆叠结构、位线和电容结构。堆叠结构沿垂直方向堆叠于半导体衬底上。堆叠结构包括:沿垂直方向交替层叠的分隔层和复合层。复合层包括:有源层。有源层包括:沟道区、源极区和漏极区。源极区和漏极区分别位于沟道区沿第一方向相对的两端。位线位于堆叠结构沿第一方向的一侧,且沿垂直方向贯穿堆叠结构。位线接触源极区的端面以及部分侧面。电容结构包括:第一极板。第一极板接触漏极区的部分侧面。

天眼查资料显示,长鑫科技集团股份有限公司,成立于2016年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业,参与招投标项目1079次,财产线索方面有商标信息229条,专利信息410条,此外企业还拥有行政许可33个。

来源:金融界

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