长鑫科技申请一种半导体结构及其形成方法专利，公开半导体结构及其形成方法
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2025-06-24 22:38:54
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120201720A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：半导体衬底、堆叠结构、位线和电容结构。堆叠结构沿垂直方向堆叠于半导体衬底上。堆叠结构包括：沿垂直方向交替层叠的分隔层和复合层。复合层包括：有源层。有源层包括：沟道区、源极区和漏极区。源极区和漏极区分别位于沟道区沿第一方向相对的两端。位线位于堆叠结构沿第一方向的一侧，且沿垂直方向贯穿堆叠结构。位线接触源极区的端面以及部分侧面。电容结构包括：第一极板。第一极板接触漏极区的部分侧面。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息410条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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