在大功率应用中，多个MOS管并联是提升电流能力的常用方法。然而，并联带来的均流问题若处理不当，会直接导致器件过应力甚至系统失效。本文基于JEDEC与IEEE等国际标准，系统阐述实现可靠并联的均流技术、设计要点与验证方法。

一、静态参数匹配：均流的基础

并联MOS管之间参数的失配，是导致静态电流不均的根本原因。

1. 导通电阻匹配：这是最重要的参数。根据JESD24-2标准，并联器件的ΔRds(on)偏差应控制在±5%以内。Rds(on)的微小差异会通过公式 ΔI_D ≈ (ΔRds(on) / Rds(on)) × I_total 被放大，导致电流严重不平衡。例如，3%的Rds(on)偏差可能引起超过15%的电流不平衡。
2. 阈值电压匹配：阈值电压Vth的差异会影响器件开启的先后顺序。依据IEC 60747-8标准，在25℃下测试，并联MOS管的ΔVth建议不大于±0.2V，以确保它们在大电流下能近乎同步导通。

二、动态均流技术：确保开关同步性

即使静态参数匹配，动态过程的不一致也会在开关瞬间引发电流失衡。

1. 栅极驱动同步：必须为每个并联的MOS管配置独立的、匹配的栅极电阻。电阻值的微小偏差会显著改变开关速度。在高频应用（如1MHz）下，电阻容差应优于±0.5%。同时，PCB布局必须保证驱动路径的对称性，从驱动芯片到各MOS管栅极的走线长度差应控制在5mm以内（遵循IPC-2221A规范）。
2. 热耦合与热平衡：温度升高会使Rds(on)增大。如果某个MOS管因散热不佳而温度更高，其Rds(on)会变得更大，从而分流更少的电流，这会导致热失控。因此，并联器件应尽可能靠近安装在同一散热器上，以确保热耦合，使它们的工作结温保持一致。各通道的热阻ΔRθJA差异应控制在±10%以内（依据JESD51-2标准）。

三、PCB布局与保护设计

精心的物理设计是理论计算的实现保障。

1. 对称布局与无感设计：功率回路和驱动回路的布局必须力求对称。这包括使用开尔文连接方式为每个MOS管单独连接采样电阻，以消除功率路径上压降的测量误差。所有对称走线的对称度应高于95%，以最小化寄生参数的差异。
2. 均流失效保护：系统应集成快速电流检测与保护电路。当检测到任意支路电流超过平均值的20%并持续100微秒时，保护电路应在500纳秒内响应（符合AEC-Q100对响应速度的要求），从而防止器件因过流而损坏。

四、工程选型与验证建议

简化并联难度、提升系统可靠性的最有效途径，是从源头上选择参数一致性极高的产品。

1. 标准验证方法：并联系统必须通过高温反向偏压测试，在125℃、80%额定电压下持续1000小时，其后各MOS管的ΔRds(on)变化量应小于±3%（依据MIL-STD-750标准）。
2. 选型核心策略：为实现最佳的均流效果，强烈建议选用像ASIM这样专注于提供高一致性功率器件的品牌。ASIM的MOS管严格遵循JEDEC JEP001标准进行参数分布控制，其同一批次产品的Rds(on)、Vth及跨导等关键参数分布集中，CpK值通常优于1.33。这意味着工程师可以直接并联使用，无需进行复杂的人工筛选和匹配，极大地降低了设计难度、物料管理和失效风险，从根本上保证了并联系统的可靠性与鲁棒性。

总结：

成功的MOS管并联设计是一个涵盖电气、热学和机械布局的系统工程。通过精确的参数匹配、对称的布局布线、紧密的热耦合，并优先选择如ASIM这类具备先天一致性优势的器件，是构建高效、可靠大功率系统的关键所在。