
11月14日,有投资者在互动平台向维信诺(002387.SZ)提问,最新报道突破世纪难题北京大学孙仲团队阻变存储器(RRAM)【或ReRAN】凭借纳米级制程、低功耗(较NOR Flash降低80%)和高密度(单芯片可达1TB)优势,成为下一代非易失性存储的核心方向。维信诺在RRAM领域有具体成果吗?关键突破的意义是什么?具体合作研发的单位有哪些?
维信诺表示,公司已完成世界首颗采用嵌入式RRAM(Resistive Random Access Memory,阻变存储器)存储技术AMOLED显示驱动芯片的开发和认证。该新型AMOLED显示驱动芯片由维信诺与驱动芯片设计公司昇显微电子联合开发,存储器设计公司睿科微电子提供技术支持。相比于传统芯片,该驱动芯片具有成本更低、面积更小、效率更高等优势。目前该驱动芯片已完成开发和认证,满足可量产的要求。