甬矽半导体申请5D桥连封装方法专利，可以降低布线层由于翘曲应力发生断裂的风险
创始人
2026-06-19 11:16:59
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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“5D桥连封装方法”的专利，公开号CN122249071A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供的一种2.5D桥连封装结构和2.5D桥连封装方法，包括桥连部、转接部、第一芯片和应力释放柱。桥连部设有第一介质层、第一布线层、第一金属层和第二金属层，第一布线层设于第一介质层内，第一金属层和第二金属层分设于第一介质层的两侧，第一金属层和第二金属层分别与第一布线层电连接。转接部设有第二介质层、第二布线层和第三金属层；第二布线层设于第二介质层内，第三金属层和第二布线层电连接。第一芯片跨接桥连部和转接部，第一芯片分别与第一金属层和第三金属层电连接。应力释放柱与第一介质层连接，可以降低布线层由于翘曲应力发生断裂的风险。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目33次，专利信息272条，此外企业还拥有行政许可20个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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