随着6G通信、人工智能和AI芯片算力负载的不断攀升，传统铜基散热、热管与风冷系统在面对数百甚至上千W/cm² 的热点时逐渐逼近自身极限，难以满足高功率芯片的散热需求。

在众多热沉材料中，金刚石热沉材料天然热导率高达2000-2500W/(m·K)，达到了铜的4倍、铝的8倍以上。同时，其热膨胀系数仅为1.0-1.5×10-6/K，与半导体芯片核心材料硅和碳化硅（2.7×10-6/K）高度匹配。这种热学性能的高度相似，可确保金刚石热沉在经历上万次温度循环后仍能保持界面稳定，有效避免了因热膨胀失配导致的界面脱层问题。

这些优异的物理和化学特性让金刚石不仅能散热，还能在激光器件、光学窗口及特殊传感器等领域展现出独特价值，进而给半导体产业链提供更多元化的材料选择。

目前，金刚石生长工艺主要有两条技术路线。一是高温高压（HTHP）法，二是微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）。

前者“压 ”出的金刚石晶粒纯净、缺陷少，热导性能极佳，但设备腔体只有拳头大，成品只能是毫米级颗粒，难以做成大面积热沉片。后者因等离子体密度高、能量集中，成为目前“长 ”出顶级热沉片的首选。

而金刚石材料的稳定生长，则离不开一台好的 MPCVD 设备。作为中国 MPCVD 设备与芯片终极散热的金刚石材料解决方案供应商，优普莱从创立之初便带着“科研基因 ”的底色，不仅是国内首家实现批量出货915MHz MPCVD 设备的企业，还经权威认证——整体技术国内领先，部分指标国际先进。

目前，优普莱已能做到6-8英寸金刚石晶圆稳定生长，厚度从几十微米到几毫米随意切换，不仅为未来高功率芯片封装散热预留了足够空间，还可广泛应用于光学传感、量子计算、粒子探测、AI 芯片和生物医疗等领域。

本次亮相第二十七届高交会，不仅是向业界展示优普莱技术实力与创新成果的重要契机，还将携手产业链上下游的朋友们一同推动金刚石材料在更多半导体场景的创新应用，让金刚石这一自然界导热性能最好、硬度和光学性能突出的材料，早日转化为半导体产业可规模应用的先进材料解决方案。