美光科技申请存储器装置中的存储器单元多电平模拟编程收敛控制专利，实现多电平模拟编程收敛控制
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2025-11-24 18:08:18
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器装置中的存储器单元的多电平模拟编程收敛控制”的专利，公开号CN 120998265 A，申请日期为2025年5月。专利摘要显示，本公开涉及存储器装置中的存储器单元的多电平模拟编程收敛控制。一种存储器装置包含具有形成于多个字线与多个位线的相应相交点处的多个存储器单元的存储器阵列。所述存储器装置进一步包含耦合到所述存储器阵列的页缓冲电路，所述页缓冲电路具有多个动态锁存电路以存储表示施加于所述多个位线的相应数据线偏置电压的值。所述多个动态锁存电路中的每一者包含：存储元件，其用于存储表示相应数据线偏置电压的值；第一开关及第二开关，其在耦合到所述存储元件的加载路径中；及第三开关，其在耦合到所述加载路径中的所述第一开关的解码路径中。
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