欣旺达取得功率器件封装结构及相关产品专利，实现MOS管在金属连接层两侧相对设置
创始人
2025-11-28 13:37:39
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国家知识产权局信息显示，欣旺达电子股份有限公司取得一项名为“功率器件封装结构、电池保护板、电池及终端设备”的专利，授权公告号CN 223598725 U，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本申请公开了一种功率器件封装结构、电池保护板、电池及终端设备，属于功率器件封装领域。该功率器件封装结构包括：第一MOS管、金属连接层、第二MOS管；金属连接层沿金属连接层的厚度方向具有相对的第一表面和第二表面，第一MOS管设置于第一表面，第二MOS管设置于第二表面，且第一MOS管与第二MOS管在金属连接层的厚度方向上位置相对。
天眼查资料显示，欣旺达电子股份有限公司，成立于1997年，位于深圳市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本184580.6346万人民币。通过天眼查大数据分析，欣旺达电子股份有限公司共对外投资了32家企业，参与招投标项目94次，财产线索方面有商标信息144条，专利信息746条，此外企业还拥有行政许可344个。
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来源：市场资讯
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