近期，碳化硅领域新进展不断。三安光电全资子公司湖南三安举行碳化硅芯片上车仪式，与理想汽车合作迈入新阶段，未来还将加大研发投入巩固优势；晶盛机电在接受鹏华基金调研时，回应了碳化硅产能、不同尺寸进展等问题，其业务成果显著，并对碳化硅未来前景充满信心。

01、三安光电碳化硅芯片成功上车

近期，三安光电全资子公司湖南三安半导体有限责任公司（以下简称“湖南三安”）在长沙举行三安碳化硅芯片上车仪式，标志着三安与理想汽车自2022年开启合作以来，战略协同取得实质性突破，双方合作正式迈入规模化、深度化新阶段。

图片来源：三安半导体

湖南三安表示，未来湖南三安将继续坚定推进以“车规化、平台化、高效能、全链自主”为核心的发展战略，致力于为理想汽车这样的行业领军企业提供更领先、更可靠的功率半导体解决方案，共同推动新能源汽车产业的技术进步。

理想汽车指出，湖南三安在第三代半导体技术领域的战略布局以及其新一代碳化硅芯片所展现出的卓越产品力，为理想汽车纯电车型的研发落地和快速迭代提供了坚实的技术支撑。我们期待与三安持续深化合作，共同探索前沿技术应用，携手推动新能源汽车产业的创新与变革。

在未来三至五年，三安将持续加大在车规级SiC MOSFET与GaN（氮化镓）制造服务平台领域的研发投入，全力加速8英寸产线的产能爬坡与良率提升，进一步巩固其在第三代半导体产业中的核心竞争优势。

02、晶盛机电回应碳化硅新进展

近期，晶盛机电接受鹏华基金调研，回应了碳化硅产能，8寸、12寸碳化硅进展等一系列问题。

晶盛机电积极布局碳化硅产能，在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目；并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场，在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目，进一步强化公司在全球市场的供应能力；同时，在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。

晶盛机电碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列，公司积极推进碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取部分国际客户批量订单。

今年9月26日，晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，子公司浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。

图片来源：晶盛机电

此外，晶盛机电还谈及了碳化硅未来前景，其认为SiC是第三代半导体材料的核心代表，因其耐高压、高频、高效等特性，广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等重点行业。同时，在AR设备、CoWoS先进封装中间基板等新兴应用领域，SiC也正逐步成为推动技术突破的关键材料。

（文/集邦化合物半导体 金水 整理）

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