中镓半导体取得氮化镓衬底及其制作方法与半导体器件制作方法专利
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2025-12-05 22:36:28
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国家知识产权局信息显示，东莞市中镓半导体科技有限公司取得一项名为“氮化镓衬底及其制作方法以及半导体器件的制作方法”的专利，授权公告号CN119673763B，申请日期为2024年12月。
天眼查资料显示，东莞市中镓半导体科技有限公司，成立于2009年，位于东莞市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本13010万人民币。通过天眼查大数据分析，东莞市中镓半导体科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息218条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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